Silicon Wafters

Mono- and multi high-performance solar silicon wafers. Manufactured to the exact specifications of PV cell and module producers.

Type	N-Type	P-Type
Dopant	Phosphorus	Gallium
Dimensions	M10： 182.2182.2φ247mm/ 182.2×183.75247mm/ 182.2×191.6262.5mm/ M10L:182.2×183.75256mm G12:210210φ295mm G12-R:182210*φ272mm	M10:182.2182.2φ247mm G12:210210φ295mm
Oxygen Content	≤12	≤16
Resistivity	0.4-1.6<Ω·cm>	0.4-1.1<Ω·cm>
Lifetime	≥800<µs>	≥70<µs>

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Produktdetails

SPECIFICATIONS

Thickness	90-160µm	Carbon Content	≤1
TTV	≤25/μm	Bow	≤40/μm
Saw Mark	≤15/μm	Warpage	≤40/μm
Cutting Method	DW	Angle between Adjacent Sides/°	90±0.15°
Surface Quality	No visual defects (no stains/no finger prints/no oil/no glue ). No color difference No bright line	Chipping	Depth≤0.3 mm Length ≤0.5 mm Count ≤ 2 /pcs no V-chip

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